-
1 Basis-Emitter-Sättigungsspannung
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Basis-Emitter-Sättigungsspannung
-
2 Basisemitter-Sättigungsspannung
Basisemitter-Sättigungsspannung f base-emitter saturation voltageDeutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Basisemitter-Sättigungsspannung
См. также в других словарях:
Emitter-coupled logic — Motorola ECL 10,000 basic gate circuit diagram[1] In electronics, emitter coupled logic (ECL), is a logic family that achieves high speed by using an overdriven BJT differential amplifier with single ended input, whose emitter current is limited… … Wikipedia
Voltage regulator — A popular three pin 12 V DC voltage regulator IC. A voltage regulator is an electrical regulator designed to automatically maintain a constant voltage level. A voltage regulator may be a simple feed forward design or may include negative feedback … Wikipedia
Common base — Figure 1: Basic NPN common base circuit (neglecting biasing details). In electronics, a common base (also known as grounded base) amplifier is one of three basic single stage bipolar junction transistor (BJT) amplifier topologies, typically used… … Wikipedia
напряжение насыщения база-эмиттер — Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора. Обозначение UБЭнас UBEsat [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN saturation base emitter voltage DE Basis Emitter… … Справочник технического переводчика
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Operational amplifier — A Signetics μa741 operational amplifier, one of the most successful op amps. An operational amplifier ( op amp ) is a DC coupled high gain electronic voltage amplifier with a differential input and, usually, a single ended output.[1] An op amp… … Wikipedia
Bipolar transistor biasing — Bipolar transistor amplifiers must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are … Wikipedia
Current mirror — A current mirror is a circuit designed to copy a current through one active device by controlling the current in another active device of a circuit, keeping the output current constant regardless of loading. The current being copied can be, and… … Wikipedia
Darlington transistor — Circuit diagram of a Darlington pair using NPN transistors In electronics, the Darlington transistor (often called a Darlington pair) is a compound structure consisting of two bipolar transistors (either integrated or separated devices) connected … Wikipedia
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации